Cài đặt chính sách ghi bộ nhớ đệm Intel® RAID Controller trong chu kỳ sạc BBU (Thiết bị dự phòng pin)
Loại nội dung: Cài đặt & Thiết lập | ID bài viết: 000007712 | Lần duyệt cuối: 18/02/2025
Chính sách ghi bộ nhớ đệm cho Bộ điều khiển Intel® RAID có thể được kích hoạt trên cơ sở ổ đĩa logic khi bộ nhớ đệm Intel® RAID Controller thiết bị dự phòng pin (BBU) được cài đặt. BBU sẽ giữ dữ liệu trong bộ nhớ cache trong một khoảng thời gian trong trường hợp mất điện, sau đó hoàn thành việc ghi dữ liệu vào đĩa cứng sau khi nguồn điện được trả lại. Lượng thời gian pin sẽ giữ dữ liệu trong bộ nhớ cache phụ thuộc vào bộ nhớ điều khiển và cấu hình pin. Kiểm tra các thông số kỹ thuật của giải pháp BBU đang được sử dụng.
Khi Chính sách ghi bộ nhớ đệm của ổ đĩa logic được đặt thành Ghi lại, Chính sách ghi bộ nhớ đệm sẽ tạm thời được đặt thành Ghi qua trong quá trình sạc lại pin để bảo vệ dữ liệu trong trường hợp gián đoạn nguồn trong chu kỳ sạc, sau đó tự động quay lại ghi lại khi pin được sạc đầy.
Khi thực hiện kiểm tra hiệu suất I/O, kiểm tra hiệu suất có thể cho thấy hiệu suất thấp hơn khi BBU đang sạc do cài đặt bộ nhớ đệm tạm thời. Để có các chỉ số hiệu suất tốt hơn, hãy đợi pin được sạc đầy khi cài đặt bộ nhớ đệm sẽ được đặt lại để ghi lại cho ổ đĩa logic.
| Ghi | Có thể buộc một ổ đĩa logic luôn ở chế độ ghi lại bằng cách đặt Chính sách ghi bộ nhớ cache thành Luôn ghi lại; tuy nhiên, dữ liệu trong bộ nhớ đệm sẽ không được bảo vệ khi BBU không khả dụng và không hoạt động. Điều này chỉ nên được sử dụng khi dữ liệu bị mất không phải là vấn đề và hiệu suất là mong muốn. |